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驱动与GaN集成产品面世: 开创更小、更快充电器电源时代

意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率电晶体,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。 MasterGaN4现已投产,采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装,超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。
凭借GaN技术和意法半导体整合式产品的优势,采用新产品的充电器和适配器比普通矽基解决方案缩减尺寸80%,减重70%。开创更小、更快充电器电源时代。

应用范围:


GaN晶体管开关性能出色,工作频率更高,能效更高,散热发热更少,设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器,设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。

MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑,例如,有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。

75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护,可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。

智能手机的超快充电器和无线充电器、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器,以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。

*MASTERGAN1, MASTERGAN2及MASTERGAN4已量產了。

 
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